功率半导体分立器件可以进一步划分为功率二极管、功率晶体管和功率晶闸管三类，其中BIT、GTR、MOSFET和IGBT均属于功率晶体管的范畴，SCR、GTO和IGCT则属于功率晶闸管的范围内。功率二极管具有结构和原理简单、工作可靠的优势;而功率晶闸管承受电压和电流容量 ...

CS8N25 A4H 是硅 N 沟道增强型 VDMOSFET，通过自对准平面技术获得，该技术降低了导通损耗，提高了开关性能并增强了雪崩能量。该晶体管可用于各种电源开关电路，以实现系统小型化和提高效率。 平台声明：该文观点仅代表作者本人，搜狐号系信息发布平台，搜狐 ...

这一专利的发布，标志着粤芯在集成电路技术领域的一项重要进展，旨在有效抑制由于负电容效应所引发的干扰信号对后续金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）的影响。 负电容效应是一个复杂的现象，可能在高频电路中引发信号的不稳定，影响到整体电路的性能。

中分别研究过这两个振荡器。Yg1ednc 而对这两个振荡器进行横向对比也是十分有必要的。Yg1ednc Clapp振荡器是对Colpitts振荡器的改进，在上图中增加了一个电容器C3。Yg1ednc 放大器“A”的增益值名义上是统一的，但实际上，增益值略低于统一值，因为放大器实际上是 ...

[导读]电容器由两个导体板组成，这两个导体板之间被一层绝缘介质隔开，通常是空气、塑料或陶瓷等。 电容器是一种能够存储电荷的电子元件，它在电路中起着重要的作用。电容器由两个导体板组成，这两个导体板之间被一层绝缘介质隔开，通常是空气、塑料 ...

MOSFET关断时,当Vds超过RCD缓冲电路中的电容两端的电压VSN时,缓冲二极管导通.尖峰电流被RCD电路吸收,从而削减了尖峰电流. 缓冲电容一定要足够大 ...

米勒效应使得MOSFET栅极电压的变化变得较慢从而会影响MOSFET的开关速度，其次米勒效应导致的栅极电流的增加和电容充电过程会增加开关损耗，同时栅极电压的变化可能导致MOSFET的不稳定工作，特别是在高频或快速开关时，这可能导致振荡、过冲、甚至导致MOSFET ...

所以这个问题容易被我们忽视。 流过MOSFET的电流Isw是不连续，输入电容的作用是用来提供一个低阻抗的电流源来提供MOSFET电流。 输入电容上各电压 ...

由工采网代理的iML1946A是一款集成了PMIC+pGamma和Level SHifter三合一为一体的芯片，可用于UHD 60hz和高刷TV；可兼容CS602系列外部BOM，支持与CS602系列共用 ...

作为电子工程师，相信大家都对MOSFET不会陌生。工程师们要选用某个型号的 MOSFET，首先要看的就是规格书-datasheet，拿到 MOSFET 的规格-datasheet 时，我们要怎么去理解那十几页到几十页的内容呢？我们就以英飞凌 IPP60R190C6 datasheet为例详细探讨一下。 Datasheet 上电气 ...

数学函数可以提供有关热插拔电路参数的详细信息，可以帮助您进行设计和故障排除。例如，您可以使用示波器的数学函数来计算负载电容，从而可显示MOSFET在启动或关闭期间的瞬态功耗。本文利用了美信MOSFET MAX5976热插拔器件，教大家如何才能用好示波器。