根据AI大模型测算四方达后市走势。短期趋势看，连续3日被主力资金减仓。主力轻度控盘。中期趋势方面，上方有一定套牢筹码积压。近期筹码减仓，但减仓程度减缓。舆情分析来看，1家机构预测目标均价13.69，高于当前价40.99%。目前市场情绪极度悲观。

中信证券 ( 26.930, -0.61, -2.21%) 在1月25日的研报中表示，硅基负极材料是理想的下一代负极材料，其中 硅碳负极被认为是市场的主要发展方向 ...

2025年1月28日消息，国家知识产权局最新数据显示，浙江求是半导体设备有限公司和浙江晶盛机电股份有限公司合作取得了一项重大专利，名为“一种CVD反应器的温度控制方法和系统”。该专利的授权公告号为CN118814145B，正式申请日期为2024年9月 ...

【四方达：以复合超硬材料为核心打造战略产品体系，自主研发的MPCVD设备及CVD金刚石工艺得到批量验证】金融界1月23日消息，四方达披露投资者关系活动记录表显示，公司始终围绕超硬材料不断深耕，以“1+N行业（下游行业）格局”为战略核心，根据下游发展趋势积极开发布局多个应用领域。目前已经形成了以复合超硬材料为核心、以精密金刚石工具及CVD金刚石为新的业务增长点 ...

拓荆科技 (688072)1月20日晚披露2024年年度业绩预告，经财务部门初步测算，预计公司2024年年度实现营业收入40亿元至42亿元，与上年同期相比增加12.95亿元至14.95亿元，同比增长47.88%至55.27%。

此款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。 1 控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高，热惯性小，温度不过冲，性能可靠，操作简单。 2 气路快速连接法兰结构采用 ...

另外，新材料的使用总是推动CMP前进的极大动力之一。在45nm及以下的逻辑技术中，为了填充越来越小的沟槽，一种低压CVD工艺形成的氧化硅HARP（high aspect ratio plasma）代替了原先的HDP（high density plasma）。相比于HDP, HARP薄膜具有更高的覆盖层（overburden），这无疑 ...

CVD SiC，即化学气相沉积碳化硅，是指通过化学气相沉积工艺生产的碳化硅材料。在此方法中，通常含有硅和碳的气态前体在高温反应器中发生反应并 ...

CVD SiC，即化学气相沉积碳化硅，是指通过化学气相沉积工艺生产的碳化硅材料。在此方法中，通常含有硅和碳的气态前体在高温反应器中发生反应并将碳化硅薄膜沉积到基板上。 CVD SiC 因其卓越的性能而受到重视，包括高导热性、化学惰性、机械强度以及耐热 ...

目前在芯片制造技术方面居于全球第一的是台积电，其次则是三星，而这两大芯片制造企业的大多数客户都是美国芯片企业，特别是在先进工艺制造方面，估计九成收入都由美国芯片企业贡献。 其中占据芯片代工超过六成份额的台积电更是成为印钞机，台积电的 ...

硬铣工艺可防止工件表面出现碳伤,以风冷取代油冷,属于绿色加工技术。 Q:公司在金刚石功能材料业务的进展? 公司在CVD金刚石的制备及应用方面已有 ...